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射频金属氧化物半导体场效应(rf mosfet)晶体管
- 标 题：
- 射频金属氧化物半导体场效应(rf mosfet)晶体管
- 订货量：
- (pcs)：>=5
- 发货地点：
- 广东省/深圳市/龙岗区
- 产品类别：
- 结型场效应管(n沟道)
- 更新时间：
- 2022/11/23 15:34:00
商品详情
qorvo tgf2929氮化镓功率晶体管离散(氮化镓)碳化硅(碳化硅)hemts(高电子迁移率晶体管)操作从直流到3.5 ghz。他们与qgan25hv构造过程,功能先进的场板技术优化功率和效率在高流失偏见操作条件。这种优化可以降低系统成本的减少放大器的阵容和热管理成本低。
qorvo tgf2929氮化镓功率晶体管提供行业标准密封空气腔包和适合用和民用雷达、陆地移动和事无线电通讯,航空电子设备和测试仪器。这些设备可以支持脉冲和线性操作。
射频金属氧化物半导体场效应(rf mosfet)晶体管
