st/意法 stp100n6f7 场效应管mos管 n 通道-尊龙凯时入口

类别 ：分立半导体产品

单 fet，mosfet

制造商：stm

系列：stripfet? f7

fet 类型：n 通道

技术：mosfet（金属氧化物）

漏源电压（vdss）：60 v

25°c 时电流 - 连续漏极 (id)：100a（tc）

驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）：10v

不同 id、vgs 时导通电阻（最大值）：5.6 毫欧 @ 50a，10v

不同 id 时 vgs(th)（最大值）：4v @ 250μa

不同 vgs 时栅极电荷 (qg)（最大值）：30 nc @ 10 v

vgs（最大值）：±20v

不同 vds 时输入电容 (ciss)（最大值）：1980 pf @ 25 v

fet 功能：-

功率耗散（最大值）：125w（tc）

工作温度：-55°c ~ 175°c（tj）

安装类型：通孔

供应商器件封装：to-220

封装/外壳：to-220-3

专业经营各种场效应管、三极管、igbt、可控硅、稳压ic、肖特基、快恢复、dip/smd系列，

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/led照明电源、

ups电源/电动车控制器、hid灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。